MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 40 V, 8-tüskés, Power 33 PowerTrench Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 166-2093
- Gyártó cikkszáma:
- FDMC8360L
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.01.14. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Ár Darab (3000 egy tekercsen)
335 Ft
(ÁFA nélkül)
426 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 3000 + | 335 Ft | 1 005 600 Ft |
*ár
- RS raktári szám:
- 166-2093
- Gyártó cikkszáma:
- FDMC8360L
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 80 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 40 V |
| Sorozat | PowerTrench |
| Csomag típusa | Power 33 |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Tüskék száma | 8 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 2,9 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 1V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 54 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 57 nC 10 V esetén |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Hossz | 3.4mm |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Szélesség | 3.4mm |
| Magasság | 0.75mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |