P típus MOSFET, 11 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- RS raktári szám:
- 166-2610
- Gyártó cikkszáma:
- FDS6675BZ
- Gyártó:
- onsemi
Kínálati hiány
Globális ellátási hiány miatt nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
- RS raktári szám:
- 166-2610
- Gyártó cikkszáma:
- FDS6675BZ
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Csatorna típusa | P típus | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 11A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | PowerTrench | |
| Csomag típusa | SOIC | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 13mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -25V, +25V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 2.5W | |
| Továbbító feszültség Vf | -1.2V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 1.5mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 4mm | |
| Hossz | 5mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Csatorna típusa P típus | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 11A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat PowerTrench | ||
Csomag típusa SOIC | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 13mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -25V, +25V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 2.5W | ||
Továbbító feszültség Vf -1.2V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 1.5mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 4mm | ||
Hossz 5mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Kapcsolódó linkek
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench FDS6675BZ
- P típus MOSFET 20 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- P típus MOSFET 20 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- P típus MOSFET 40 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- P típus MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, SOIC onsemi PowerTrench