MOSFET, 2 elem/chip, 2,3 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si

A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTTrench® MOSFET-ek a terheléselosztást biztosító árnyékolt kapuszerkezetet alkalmazzák. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegyábra) jóval kisebb az előző generációhoz képest.
A PowerTTrench® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítményén kiküszöbölhető a rugalmas áramkör, illetve kicserélhető a nagyobb névleges feszültségű MOSFET.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.