N MOSFET, 16 A, 60 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-252 onsemi RFD16N06LESM
- RS raktári szám:
- 166-3194
- Gyártó cikkszáma:
- RFD16N06LESM9A
- Gyártó:
- onsemi
Részösszeg (1 tekercs / 2500 egység)*
775 250 Ft
(ÁFA nélkül)
984 500 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. április 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 2500 + | 310,10 Ft | 775 250 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 166-3194
- Gyártó cikkszáma:
- RFD16N06LESM9A
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 16A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 60V | |
| Sorozat | RFD16N06LESM | |
| Csomag típusa | TO-252 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 47mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 90W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -8V, +10V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 6.22mm | |
| Magasság | 2.39mm | |
| Hossz | 6.73mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 16A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V | ||
Sorozat RFD16N06LESM | ||
Csomag típusa TO-252 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 47mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 90W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -8V, +10V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 6.22mm | ||
Magasság 2.39mm | ||
Hossz 6.73mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-252 onsemi RFD16N06LESM RFD16N06LESM9A
- N MOSFET 50 V 3-tüskés, TO-252 onsemi MegaFET
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-252 onsemi UniFET
- N MOSFET 50 V 3-tüskés, TO-252 onsemi MegaFET RFD16N05LSM9A
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-252 onsemi UniFET FDD18N20LZ
- N MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STripFET
- N MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STripFET STD16NF06T4
- N MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STripFET