MOSFET, 1 elem/chip, 229 A, 80 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si

RS raktári szám:: 166-3399
Gyártó cikkszáma:: FDB024N08BL7
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 229 A, 80 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.10.24. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (800 egy tekercsen)

851 Ft

(ÁFA nélkül)

1 080 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	orsónként*
800 +	851 Ft	680 400 Ft

RS raktári szám:: 166-3399
Gyártó cikkszáma:: FDB024N08BL7
Gyártó:: onsemi

FDB024N08BL7, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 229A, 2.4mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	229 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	80 V
Csomag típusa	D2PAK (TO-263)
Sorozat	PowerTrench
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	7
Maximális nyelő forrásellenállás	2,4 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció	246 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	9.4mm
Hossz	10.2mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	40 V esetén 137 nC
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Magasság	4.7mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 229 A, 80 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) PowerTrench Egyszeres Si

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor