N MOSFET, 60 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK 1212 Vishay Siliconix TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
178-3701
Gyártó cikkszáma:
SiSS12DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay Siliconix
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay Siliconix

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

60A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

40V

Csomag típusa

PowerPAK 1212

Sorozat

TrenchFET

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

2mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-16V, +20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

59nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

65.7W

Továbbító feszültség Vf

1.1V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

1.07mm

Hossz

3.15mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

3.15mm

Járműipari szabvány

Nem

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban

Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesítményveszteség mértékét

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.