P típus AEC-Q101 MOSFET, 16 A, 80 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SQJ481EP-T1_GE3
- RS raktári szám:
- 178-3883
- Gyártó cikkszáma:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Részösszeg (25 egység, 25 darabos csomagban)*
6190 Ft
(ÁFA nélkül)
7860 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 8975 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 25 + | 247,60 Ft | 6 190 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 178-3883
- Gyártó cikkszáma:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay Siliconix | |
| Csatorna típusa | P típus | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 16A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 80V | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Csomag típusa | SO-8 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 90mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 33nC | |
| Továbbító feszültség Vf | -1.2V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 45W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 5mm | |
| Hossz | 5.99mm | |
| Magasság | 1.07mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay Siliconix | ||
Csatorna típusa P típus | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 16A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 80V | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Csomag típusa SO-8 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 90mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 33nC | ||
Továbbító feszültség Vf -1.2V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 45W | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 5mm | ||
Hossz 5.99mm | ||
Magasság 1.07mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Kivétel
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Vishay
A Vishay felületre szerelhető N-csatornás MOSFET egy új korba tartozó termék, amelynek kimenő feszültségjele 80 V, és a kapura szerelhető tápfeszültsége20V. Ez 80 mosópehm-es leeresztő ellenállással rendelkezik, 10 V-os kamraajtó tápfeszültséggel Maximális teljesítményfelvétele 45 W, folyamatos áramfelvétele 16 A Minimális és maximális vezetési feszültsége 4,5V és 10V. Az autóiparban használják. A MOSFET-et a kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre optimalizálták. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.
Funkciók és előnyök
• Halogénmentes
• Ólommentes (Pb)
• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 175°C között van
• TrentchFET teljesítményMOSFET
Tanúsítványok
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• RG tesztelve
• Az UI bevizsgálva
Kapcsolódó linkek
- P típus AEC-Q101 MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SQJ481EP-T1_GE3
- P típus AEC-Q101 MOSFET 30 V 6-tüskés, SC-70 Vishay Siliconix TrenchFET SQA403EJ-T1_GE3
- N AEC-Q101 MOSFET 40 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3
- P típus AEC-Q101 MOSFET 200 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SQJ431AEP-T1_GE3
- N AEC-Q101 MOSFET 60 V 3-tüskés, SOT-23 Vishay Siliconix TrenchFET SQ2364EES-T1_GE3
- P típus AEC-Q101 MOSFET 40 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3
- P típus AEC-Q101 MOSFET 20 V 6-tüskés, SC-70 Vishay Siliconix TrenchFET SQA401EEJ-T1_GE3
- AEC-Q101 MOSFET P típus 40 V 8-tüskés, SO-8 TrenchFET Vishay Siliconix Kettős