AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip N típus, P típus, 30 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET Vishay Siliconix Kettős

RS raktári szám:: 178-3893
Gyártó cikkszáma:: SQJ504EP-T1_GE3
Gyártó:: Vishay Siliconix

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip N típus, P típus, 30 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET Vishay Siliconix Kettős

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

4080 Ft

(ÁFA nélkül)

5180 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Ellátási hiány

20 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
További 1400 egység szállítása 2026. október 21. dátumtól

Jelenlegi készletünk korlátozott és beszállítóink hiányra számítanak.

Egység	Egységenként	csomagonként*
10 - 90	408 Ft	4 080 Ft
100 - 490	395,30 Ft	3 953 Ft
500 - 990	384,80 Ft	3 848 Ft
1000 +	375 Ft	3 750 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 178-3893
Gyártó cikkszáma:: SQJ504EP-T1_GE3
Gyártó:: Vishay Siliconix

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Vishay Siliconix
	Csatorna típusa	N típus, P típus
	Terméktípus	MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	30A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	40V
	Sorozat	TrenchFET
	Csomag típusa	SO-8
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	30mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	20V
	Továbbító feszültség Vf	1.2V
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	12.1nC
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	34W
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Tranzisztorkonfiguráció	Kettős
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Szélesség	5mm
	Hossz	5.99mm
	Magasság	1.07mm
	Elemek száma chipenként	2
	Járműipari szabvány	AEC-Q101

	Az összes kiválasztása
	Márka Vishay Siliconix
	Csatorna típusa N típus, P típus
	Terméktípus MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 30A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 40V
	Sorozat TrenchFET
	Csomag típusa SO-8
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 30mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V
	Továbbító feszültség Vf 1.2V
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 12.1nC
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 34W
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Tranzisztorkonfiguráció Kettős
	Szabványok/jóváhagyások No
	Szélesség 5mm
	Hossz 5.99mm
	Magasság 1.07mm
	Elemek száma chipenként 2
	Járműipari szabvány AEC-Q101

Datasheet

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):: CN

Vishay

A Vishay felületre szerelhető kétcsatornás (N- és P-csatornás) MOSFET a 4 új korba tartozó termék, amelynek forrásfeszültsége 40 V. Az ürítőforrás ellenállása 17 MOhm, 10 V-os kapuforrásfeszültség mellett Maximális teljesítményfelvétele 34 W, folyamatos áramfelvétele 30 A A MOSFET-et a kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre optimalizálták. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne. A jármű-elektronikai iparban alkalmazható.

Funkciók és előnyök

• Halogénmentes

• Ólommentes (Pb)

• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 175°C között van

• TrentchFET teljesítményMOSFET

Tanúsítványok

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• RG tesztelve

• Az UI bevizsgálva

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip N típus, P típus, 30 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 TrenchFET Vishay Siliconix Kettős

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Vishay

Funkciók és előnyök

Tanúsítványok

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!