Nagy teljesítményű MOSFET, 2 elem/chip N, 30 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Vishay Siliconix
- RS raktári szám:
- 178-3932P
- Gyártó cikkszáma:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 178-3932P
- Gyártó cikkszáma:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay Siliconix | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 30A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Csomag típusa | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 10mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 16.7W | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -16V, +20V | |
| Tranzisztorkonfiguráció | Kettős | |
| Maximális működési hőmérséklet | +150°C | |
| Szélesség | 3mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Hossz | 3mm | |
| Magasság | 750μm | |
| Elemek száma chipenként | 2 | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay Siliconix | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 30A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Csomag típusa PowerPAIR 3 x 3 | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 10mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 16.7W | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -16V, +20V | ||
Tranzisztorkonfiguráció Kettős | ||
Maximális működési hőmérséklet +150°C | ||
Szélesség 3mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Hossz 3mm | ||
Magasság 750μm | ||
Elemek száma chipenként 2 | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Kivétel
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET-tranzisztorok optimalizált kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében
Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-tényező növeli a hatékonyságot a nagyfrekvenciájú kapcsoláshoz