Nagy teljesítményű MOSFET, 2 elem/chip N, 30 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Vishay Kettős

Minden MOSFET-ek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

3480 Ft

(ÁFA nélkül)

4420 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • Utolsó 2370 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység
Egységenként
csomagonként*
10 +348 Ft3 480 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
178-3944
Gyártó cikkszáma:
SiZ350DT-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Csatorna típusa

N

Terméktípus

Nagy teljesítményű MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

30A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

30V

Sorozat

TrenchFET

Csomag típusa

PowerPAIR 3 x 3

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

9mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-12V, +16V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

16.7W

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

12.1nC

Tranzisztorkonfiguráció

Kettős

Maximális működési hőmérséklet

+150°C

Magasság

750μm

Hossz

3mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

3mm

Elemek száma chipenként

2

Járműipari szabvány

Nem

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET tranzisztorok optimalizált

kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében

Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-tényező növeli

a hatékonyságot a nagyfrekvenciájú kapcsoláshoz

ALKALMAZÁSOK

Szinkron feszültségcsökkentő

DC-DC átalakítás

Félhíd

POL

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.