Gyártói szám

Nagy teljesítményű MOSFET, 2 elem/chip N, 30 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Vishay Siliconix

RS raktári szám:: 178-3944
Gyártó cikkszáma:: SiZ350DT-T1-GE3
Gyártó:: Vishay Siliconix

Nagy teljesítményű MOSFET, 2 elem/chip N, 30 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Vishay Siliconix

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

1397 Ft

(ÁFA nélkül)

1774 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Utolsó RS készlet

Utolsó 2370 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra

Egység	Egységenként	csomagonként*
10 +	139,70 Ft	1 397 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 178-3944
Gyártó cikkszáma:: SiZ350DT-T1-GE3
Gyártó:: Vishay Siliconix

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Vishay Siliconix
	Terméktípus	Nagy teljesítményű MOSFET
	Csatorna típusa	N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	30A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	30V
	Csomag típusa	PowerPAIR 3 x 3
	Sorozat	TrenchFET
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	9mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	16.7W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	12.1nC
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Továbbító feszültség Vf	1.2V
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	-12V, +16V
	Maximális működési hőmérséklet	+150°C
	Tranzisztorkonfiguráció	Kettős
	Szélesség	3mm
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Magasság	0.75mm
	Hossz	3mm
	Elemek száma chipenként	2
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Vishay Siliconix
	Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET
	Csatorna típusa N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 30A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V
	Csomag típusa PowerPAIR 3 x 3
	Sorozat TrenchFET
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 9mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 16.7W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 12.1nC
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Továbbító feszültség Vf 1.2V
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -12V, +16V
	Maximális működési hőmérséklet +150°C
	Tranzisztorkonfiguráció Kettős
	Szélesség 3mm
	Szabványok/jóváhagyások No
	Magasság 0.75mm
	Hossz 3mm
	Elemek száma chipenként 2
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):: TW

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET tranzisztorok optimalizált

kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében

Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-tényező növeli

a hatékonyságot a nagyfrekvenciájú kapcsoláshoz

ALKALMAZÁSOK

Szinkron feszültségcsökkentő

DC-DC átalakítás

Félhíd

POL

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.