N MOSFET, 119 A, 650 V, Növekményes, 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW90

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
201-0887P
Gyártó cikkszáma:
SCTW90N65G2V
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

119A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

650V

Sorozat

SCTW90

Csomag típusa

Hip-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

24mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

565W

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

18V

Továbbító feszültség Vf

2.5V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

157nC

Maximális működési hőmérséklet

200°C

Magasság

20.15mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

5.15mm

Hossz

15.75mm

Járműipari szabvány

Nem

Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási teljesítmény. A kapcsolási veszteség változása majdnem független a csatlakozási hőmérséklettől.

Nagyon magas üzemi csatlakozási hőmérséklet képesség (TJ = 175 °C)

Nagyon gyors és robusztus testtel rendelkező dióda

Rendkívül alacsony kamraajtó töltés és bemeneti kapacitás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.