N MOSFET, 20 A, 1.2 kV, Növekményes, 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
201-4416
Gyártó cikkszáma:
SCT20N120H
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

20A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

1.2kV

Csomag típusa

H2PAK-2

Sorozat

SiC MOSFET

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

203mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

150W

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

45nC

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

25V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szélesség

4.7mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

15.8mm

Magasság

10.4mm

Járműipari szabvány

Nem

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokkal rendelkezik.

Nagyon szoros variáció az on-rezisztencia függvényében hőmérséklet

Nagyon magas üzemi csatlakozási hőmérséklet

Nagyon gyors és robusztus testtel rendelkező dióda

Kis kapacitás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.