SiC teljesítménymodul N, 12 A, 1.2 kV, Növekményes, 3-tüskés, Hip-247 SCT10N120H STMicroelectronics SCT10N120H
- RS raktári szám:
- 204-3950P
- Gyártó cikkszáma:
- SCT10N120H
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 204-3950P
- Gyártó cikkszáma:
- SCT10N120H
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | SiC teljesítménymodul | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram (Id) | 12 A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség (Vds) | 1.2 kV | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Csomag típusa | Hip-247 | |
| Sorozat | SCT10N120H | |
| Maximális nyelő forrásellenállás (Rds) | 0.52 Ω | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus SiC teljesítménymodul | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram (Id) 12 A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség (Vds) 1.2 kV | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tüskék száma 3 | ||
Csomag típusa Hip-247 | ||
Sorozat SCT10N120H | ||
Maximális nyelő forrásellenállás (Rds) 0.52 Ω | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance