N Nagy teljesítményű MOSFET, 15 A, 800 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 Vishay E SIHB17N80AE-GE3

RS raktári szám:: 210-4971
Gyártó cikkszáma:: SIHB17N80AE-GE3
Gyártó:: Vishay

N Nagy teljesítményű MOSFET, 15 A, 800 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 Vishay E SIHB17N80AE-GE3

Jelenleg nem elérhető

Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.

RS raktári szám:: 210-4971
Gyártó cikkszáma:: SIHB17N80AE-GE3
Gyártó:: Vishay

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Vishay
	Csatorna típusa	N
	Terméktípus	Nagy teljesítményű MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	15A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	800V
	Sorozat	E
	Csomag típusa	TO-263
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	250mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	179W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	41nC
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	30V
	Továbbító feszültség Vf	1.2V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	14.61mm
	Szélesség	9.65mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Magasság	4.06mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Vishay
	Csatorna típusa N
	Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 15A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 800V
	Sorozat E
	Csomag típusa TO-263
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 250mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 179W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 41nC
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V
	Továbbító feszültség Vf 1.2V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 14.61mm
	Szélesség 9.65mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Magasság 4.06mm
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Vishay E sorozatú teljesítmény MOSFET, 800 V leeresztő forrásfeszültség, 15 A folyamatos leeresztő áram – SIHB17N80AE-GE3

Ez a teljesítmény MOSFET egy nagyfeszültségű N-csatornás félvezető eszköz, amelyet kapcsolási és teljesítményátalakítási feladatokra terveztek felületre szerelhető alkalmazásokban. Széles hőmérséklet-tartományban működik, és olyan alkalmazásokhoz tervezték, ahol robusztus nagyfeszültségű kapcsolásra, mérsékelt áramerősség-kezelésre és kompakt SMD-csomagolásra van szükség.

Jellemzők és előnyök:

• 800 V maximális leeresztő-forrás feszültség, amely lehetővé teszi a nagyfeszültségű kapcsolást
• 15 A folyamatos leeresztőáram a mérsékelt terhelés kezeléséhez
• Az 250 mΩ Rds(on) minimalizálja a vezetési veszteségeket terhelés alatt
• A 179 W-os teljesítményelnyelés támogatja a nagy teljesítményű működést
• 41 nC-os jellemző kaputöltés a kiszámítható kapcsolási viselkedés érdekében
• A 30 V-os maximális kapu-forrás feszültség biztosítja a kapumeghajtási tartományt

Alkalmazások

• Alkalmas SMPS primer oldali nagyfeszültségű kapcsolásához
• Ideális ipari nagyfeszültségű teljesítményfázisokhoz
• 800 V-os készülékeket igénylő feszültségnövelő átalakítókhoz használható
• Használható teljesítménytényező-korrekció előlapokhoz

Milyen szélsőséges hőmérsékleteket képes ellenállni ez az eszköz működés közben?

-55 °C és 150 °C közötti működésre tervezték, így nagy hőmérséklet-ingadozó környezetekben is használható.

Milyen csomagolást és rögzítési módot kell terveznem a kártyán?

Az eszközt TO-263 csomagban szállítjuk, amely a kártyán lévő hűtőbordák felületére történő felszerelésre szolgál.

Hány elektromos csatlakozást tartalmaz az elrendezés szempontjából?

Az alkatrész három érintkezővel rendelkezik, amelyek megfelelnek a kapu, a leeresztés és a forrás lezárásainak a NYÁK-útválasztáshoz.

Mi a csatorna mód és hogyan befolyásolja a kapcsolást?

A tranzisztor egy N-csatornás, kiterjesztett üzemmódú eszköz, amely a forráshoz viszonyított pozitív kapumeghajtást igényel a bekapcsoláshoz.