N AEC-Q101 MOSFET, 10 A, 600 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD12N60DM6
- RS raktári szám:
- 210-8740
- Gyártó cikkszáma:
- STD12N60DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 csomag / 5 egység)*
4995 Ft
(ÁFA nélkül)
6345 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. március 15. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 999 Ft | 4 995 Ft |
| 50 - 245 | 813,80 Ft | 4 069 Ft |
| 250 - 495 | 619,60 Ft | 3 098 Ft |
| 500 + | 549,80 Ft | 2 749 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 210-8740
- Gyártó cikkszáma:
- STD12N60DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 10A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 600V | |
| Csomag típusa | TO-252 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 390mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.6V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 25V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 90W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 2.4mm | |
| Szélesség | 6.2mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Hossz | 6.6mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 10A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 600V | ||
Csomag típusa TO-252 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 390mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Továbbító feszültség Vf 1.6V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 25V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 90W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 2.4mm | ||
Szélesség 6.2mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Hossz 6.6mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyreállítási díjat (Qrr), a helyreállítási időt (trr) és a területenkénti RDS(on) kiváló javulását a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiák és a ZVS fáziseltolásos átalakítók számára.
Gyors helyreállás test dióda
Csökkentse az RDS(on) értéket területenként az előző generációhoz képest
Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás
100%-osan lavinaálló
Rendkívül magas dv/dt robusztusság
Zener-védelem
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics
- N AEC-Q101 MOSFET 40 V 3-tüskés STripFET
- N AEC-Q101 MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STripFET
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD
- N AEC-Q101 MOSFET 35 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD
- N AEC-Q101 MOSFET 35 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD STD80N240K6
- N AEC-Q101 MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STripFET STD25NF20
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD STD86N3LH5