MOSFET N, 72 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
210-8749P
Gyártó cikkszáma:
STW68N65DM6-4AG
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram (Id)

72 A

Maximális nyelő forrásfeszültség (Vds)

650 V

Tüskék száma

4

Csomag típusa

TO-247-4

Maximális nyelő forrásellenállás (Rds)

39 mΩ

Rögzítés típusa

Furatszerelt

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.

Designed for automotive applications

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Zener-protected

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.