N MOSFET, 7 A, 1.7 kV, Növekményes, 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT1000N170 SCT1000N170
- RS raktári szám:
- 212-2091
- Gyártó cikkszáma:
- SCT1000N170
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 cső / 30 egység)*
108 690 Ft
(ÁFA nélkül)
138 030 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. július 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 30 + | 3 623 Ft | 108 690 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 212-2091
- Gyártó cikkszáma:
- SCT1000N170
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 7A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.7kV | |
| Sorozat | SCT1000N170 | |
| Csomag típusa | Hip-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 1.66Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 96W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Továbbító feszültség Vf | 4.5V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 20.15mm | |
| Hossz | 15.75mm | |
| Magasság | 5.15mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 7A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.7kV | ||
Sorozat SCT1000N170 | ||
Csomag típusa Hip-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 1.66Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 96W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Továbbító feszültség Vf 4.5V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 20.15mm | ||
Hossz 15.75mm | ||
Magasság 5.15mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
SiC MOSFET
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan fajlagos ellenállást és a hőmérséklettől szinte teljesen független, nagyon jó kapcsolási teljesítményt eredményez. A SiC anyag kiemelkedő hőtulajdonságai, valamint a készülék háza a saját HiP247 csomagban lehetővé teszik a tervezők számára, hogy egy ipari szabvány vázlatot használjunk, amely jelentősen jobb termikus képességgel rendelkezik.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső test dióda
Alacsony kapacitás
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 1.7 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT1000N170 SCT1000N170
- N MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics
- N MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT30N120
- N MOSFET 650 V 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW35 SCTW35N65G2V
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG
- N MOSFET 650 V 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW35
- N MOSFET 650 V 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW90
- N MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW70N SCTW70N120G2V