N MOSFET, 8 A, 600 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD11N60M6

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
212-2104
Gyártó cikkszáma:
STD11N60M6
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

8A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

600V

Csomag típusa

TO-252

Sorozat

STD11N60M6

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

500mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

25V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

10.3nC

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

90W

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

1.6V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

6.2mm

Hossz

6.6mm

Magasság

2.4mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

MDMESH M6 MOSFET N-CS


A STMicroelectronics MDmesh M6 technológia az SJ MOSFET-EK jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit tartalmazza. Az MDmesh eszközök korábbi generációján alapul az új M6 technológiának köszönhetően, amely a kiváló területenkénti RDS(on) funkciót ötvözi a rendelkezésre álló egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel, valamint felhasználóbarát élményt nyújt a maximális végfelhasználói hatékonyság érdekében.

Csökkentett kapcsolási veszteségek

Csökkentse az RDS(on) értéket területenként az előző generációhoz képest

Alacsony kapu bemeneti ellenállás

100%-osan lavinaálló

Zener-védelem

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.