N AEC-Q101 MOSFET, 120 A, 80 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 Infineon OptiMOS -T2 IPB120N08S403ATMA1

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
214-4366
Gyártó cikkszáma:
IPB120N08S403ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

120A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

80V

Sorozat

OptiMOS -T2

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

2.5mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

128nC

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

278W

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

1.3V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szélesség

9.27mm

Hossz

10.02mm

Magasság

4.5mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Ez a Infineon OptiMOS T2 MOSFET 100% lavina teszttel és RoHS megfelelőséggel rendelkezik.

AEC Q101 minősítésű

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.