MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Szilikon

RS raktári szám:: 222-4664
Gyártó cikkszáma:: IPD30N06S215ATMA2
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 55 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Szilikon

2460 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (10 darabos csomagbol)

346 Ft

(ÁFA nélkül)

439 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
10 - 90	346 Ft	3 459 Ft
100 - 240	329 Ft	3 288 Ft
250 - 490	315 Ft	3 146 Ft
500 - 990	301 Ft	3 011 Ft
1000 +	280 Ft	2 802 Ft

RS raktári szám:: 222-4664
Gyártó cikkszáma:: IPD30N06S215ATMA2
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Datasheet - IPD30N06S215ATMA2

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

A MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-kialakítása a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok” rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A "térhatás" azt jelenti, hogy a feszültség vezérli őket. A MOSFET célja, hogy szabályozza a forrástól a leeresztő kivezetésig átfolyó áram áramlását.

Zöld termék (RoHS kompatibilis)
MSL1 260 °C-ig, Peak reflow AEC Q101 minősítésű
OptiMOS™ - teljesítmény MOSFET autóipari alkalmazásokhoz

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	30 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	55 V
Csomag típusa	TO-252
Sorozat	OptiMOS™
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	0.0147 Ω
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Szilikon