N MOSFET, 180 A, 100 V, Növekményes, 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH200 STH200N10WF7-2

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
234-8895
Gyártó cikkszáma:
STH200N10WF7-2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

180A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

100V

Sorozat

STH200

Csomag típusa

H2PAK-2

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

4mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

340W

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

93nC

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

A STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény MOSFET a STripFET F7 technológiát továbbfejlesztett árokkapu-szerkezettel használja, amely növeli a lineáris módot, és szélesebb SOA-t biztosít, kombinálva nagyon alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással. Az így kapott MOSFET biztosítja a legjobb szakfunkciót a lineáris mód és a kapcsolási műveletek között.

Kategóriájában a legjobb SOA-képesség

Nagy áramerősségű túlfeszültség

Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.