N típus AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 30 V, Növekményes, 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW

Minden MOSFET-ek megtekintése

Részösszeg (1 tálca / 30 egység)*

114 216 Ft

(ÁFA nélkül)

145 053 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. január 18. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
tálcánként*
30 +3 807,20 Ft114 216 Ft

*irányár

RS raktári szám:
240-0611
Gyártó cikkszáma:
STW75N65DM6-4
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N típus

Maximális folyamatos nyelőáram Id

55A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

30V

Csomag típusa

TO-247

Sorozat

STW

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

4

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

45mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Továbbító feszültség Vf

1.5V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

480W

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

118nC

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szabványok/jóváhagyások

UL

Hossz

40.92mm

Magasság

5.1mm

Járműipari szabvány

AEC-Q101

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors visszaszerzés dióda sorozat része, összehasonlítva az előző MDmesh gyors generációs, DM6 ötvözi a nagyon alacsony visszanyerési díjat (Qrr), A helyreállítási idő (trr) és az RDS(on) kiváló javulása területenként a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiák és ZVS fáziseltolásos átalakítók számára.

Gyors regenerálású karosszéria dióda

Kisebb RDS(on) területenként az előző generációhoz képest

Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás

100%-osan lavinaálló

Rendkívül magas dv/dt zavartűrés

Zener-védelem

Kapcsolódó linkek