N AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 30 V, Növekményes, 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW
- RS raktári szám:
- 240-0611
- Gyártó cikkszáma:
- STW75N65DM6-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (30 egység, 30 kiszerelésű tálcán)*
96 228 Ft
(ÁFA nélkül)
122 208 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. június 22. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | tálcánként* |
|---|---|---|
| 30 + | 3 207,60 Ft | 96 228 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 240-0611
- Gyártó cikkszáma:
- STW75N65DM6-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | STW | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 45mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.5V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 480W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 5.1mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | UL | |
| Hossz | 40.92mm | |
| Szélesség | 15.8mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat STW | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 45mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.5V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 480W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 5.1mm | ||
Szabványok/jóváhagyások UL | ||
Hossz 40.92mm | ||
Szélesség 15.8mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors visszaszerzés dióda sorozat része, összehasonlítva az előző MDmesh gyors generációs, DM6 ötvözi a nagyon alacsony visszanyerési díjat (Qrr), A helyreállítási idő (trr) és az RDS(on) kiváló javulása területenként a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiák és ZVS fáziseltolásos átalakítók számára.
Gyors regenerálású karosszéria dióda
Kisebb RDS(on) területenként az előző generációhoz képest
Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás
100%-osan lavinaálló
Rendkívül magas dv/dt zavartűrés
Zener-védelem
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STW75N65DM6-4
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STWA32N65DM6AG
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STWA75N65DM6
- N AEC-Q101 MOSFET Egyszeres WLCSP onsemi FPF2286 FPF2286UCX
- N MOSFET Növekményes TO-247 STMicroelectronics STW STWA65N023M9
- N MOSFET Növekményes TO-247 STMicroelectronics STW STWA60N043DM9
- N AEC-Q101 MOSFET Egyszeres WLCSP onsemi FPF2286