N AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 30 V, Növekményes, 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STWA75N65DM6
- RS raktári szám:
- 240-0616
- Gyártó cikkszáma:
- STWA75N65DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
5179 Ft
(ÁFA nélkül)
6577 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 190 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 5 179 Ft |
| 10 - 99 | 4 223 Ft |
| 100 - 599 | 3 503 Ft |
| 600 - 1199 | 3 443 Ft |
| 1200 + | 3 401 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 240-0616
- Gyártó cikkszáma:
- STWA75N65DM6
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | STW | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 45mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 480W | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.5V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 25V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | UL | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat STW | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 45mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 480W | ||
Továbbító feszültség Vf 1.5V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 25V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások UL | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors visszaszerzés dióda sorozat része, összehasonlítva az előző MDmesh gyors generációs, DM6 ötvözi a nagyon alacsony visszanyerési díjat (Qrr), A helyreállítási idő (trr) és az RDS(on) kiváló javulása területenként a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiák és ZVS fáziseltolásos átalakítók számára.
Gyors regenerálású karosszéria dióda
Kisebb RDS(on) területenként az előző generációhoz képest
Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás
100%-osan lavinaálló
Rendkívül magas dv/dt zavartűrés
Zener-védelem
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STW75N65DM6-4
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW STWA32N65DM6AG
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 7-tüskés, HU3PAK STMicroelectronics STH STHU32N65DM6AG
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 7-tüskés, HU3PAK STMicroelectronics STH
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP STP80N240K6