MOSFET, 2 elem/chip N, 270 mA, 100 V, Növekményes, 6-tüskés, UDFN-2020 DiodesZetex DMN10H6D2LFDB-7

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
246-7507
Gyártó cikkszáma:
DMN10H6D2LFDB-7
Gyártó:
DiodesZetex
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

DiodesZetex

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

270mA

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

100V

Csomag típusa

UDFN-2020

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

6

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

10Ω

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

0.7W

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

1.2nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

1.3V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Elemek száma chipenként

2

Járműipari szabvány

Nem

A DiodesZetex egy N-csatornás Enhancement módú MOSFET-et készít, amelyet úgy terveztek, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást (RDS(ON)), ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt biztosít, így ideális a nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazásokhoz. Ez egy zöld eszköz, és teljesen ólom, halogén és antimon mentes. Ez a MOSFET U-DFN2020-6 csomagolásban kapható. Gyors kapcsolást és nagy hatékonyságot kínál. ESD-védett kapuval rendelkezik (legfeljebb 1kV).

A forrásfeszültség maximális leürítője 100 V maximális kapu-forrás feszültség ±20 V alacsony kapu küszöbfeszültséget kínál alacsony bemeneti kapacitást

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.