N AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 650 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP
- RS raktári szám:
- 248-9686
- Gyártó cikkszáma:
- STP60N043DM9
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 cső / 50 egység)*
129 975 Ft
(ÁFA nélkül)
165 070 Ft
(ÁFÁ-val)
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 50 + | 2 599,50 Ft | 129 975 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 248-9686
- Gyártó cikkszáma:
- STP60N043DM9
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Sorozat | STP | |
| Csomag típusa | TO-220 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 45mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 80nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 245W | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.5V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | UL | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Hossz | 28.9mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Sorozat STP | ||
Csomag típusa TO-220 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 45mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 80nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 245W | ||
Továbbító feszültség Vf 1.5V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Szabványok/jóváhagyások UL | ||
Magasság 4.6mm | ||
Hossz 28.9mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
A STMicroelectronics termék egy N csatornás teljesítmény MOSFET, amely a leginnovatívabb szuperjunction MDmesh DM9 technológián alapul, alkalmas közepes vagy nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyek nagyon alacsony RDS-értékkel rendelkeznek a területenként, és gyors helyreállítási diódával vannak párosítva. A szilícium alapú DM9 technológia a több elvezető gyártási folyamat előnyeit élvezi, amely lehetővé teszi a továbbfejlesztett eszközszerkezet használatát. A gyors regenerálású dióda, amely nagyon alacsony visszanyerési díjat, időt és RDS-t tartalmaz, ezt a gyorsan kapcsoló szuper elosztású teljesítmény MOSFET-t a legigényesebb nagy hatékonyságú híd topológiákhoz és ZVS fáziseltolásos átalakítókhoz szabták.
Gyors visszanyerő test dióda
Világszerte a legjobb RDS területenként között szilícium alapú gyors helyreállítási eszközök
Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás
100 százalékos lavina tesztelve
Rendkívül dv/dt zavartűrés
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP STP60N043DM9
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP STP80N240K6
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP STP65N045M9
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 3-tüskés, TO-252 STMicroelectronics STD STD86N3LH5
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT018H65G3AG
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220 STMicroelectronics STP STP80N600K6