Gyártói szám

N MOSFET, 160 A, 60 V, TO-263 Infineon HEXFET IRFS3306TRLPBF

Name: N MOSFET, 160 A, 60 V, TO-263 Infineon HEXFET IRFS3306TRLPBF
Brand: Infineon
SKU: 257-9424
Availability: InStock

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 20 hozzáadása 9% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

2539 Ft

(ÁFA nélkül)

3225 Ft

(ÁFÁ-val)

Raktáron

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként	csomagonként*	Megtakarítás
2 - 18	1 269,50 Ft	2 539 Ft	-
20 - 48	1 155 Ft	2 310 Ft	9%
50 - 98	1 076,50 Ft	2 153 Ft	15%
100 - 198	1 012,50 Ft	2 025 Ft	20%
200 +	926,50 Ft	1 853 Ft	27%

*irányár

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Infineon
	Terméktípus	MOSFET
	Csatorna típusa	N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	160A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	60V
	Csomag típusa	TO-263
	Sorozat	HEXFET
	Rögzítés típusa	Felület
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	4.2mΩ
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	230W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	85nC
	Továbbító feszültség Vf	1.3V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	20V
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Infineon
	Terméktípus MOSFET
	Csatorna típusa N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 160A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V
	Csomag típusa TO-263
	Sorozat HEXFET
	Rögzítés típusa Felület
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 4.2mΩ
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 230W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 85nC
	Továbbító feszültség Vf 1.3V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Szabványok/jóváhagyások No
	Járműipari szabvány Nem

Az Infineon IRFS sorozat egy 60 V-os, egy n-csatornás HEXFET teljesítmény mosfet D2-es csomagolásban.

Továbbfejlesztett kapu, lavinak és dinamikus dV/dt robusztusság

Teljesen jellemzett kapacitás- és lavinakapacitású SOA

Továbbfejlesztett házdióda dV/dt és dI/dt képesség ólommentes

RoHS-kompatibilis, halogénmentes

Kapcsolódó linkek

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.