MOSFET, 50 A, 2 kV, AG-EASY3B Infineon DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- RS raktári szám:
- 260-1092
- Gyártó cikkszáma:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Gyártó:
- Infineon
Részösszeg (1 tálca / 8 egység)*
617 543 Ft
(ÁFA nélkül)
784 280 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2028. szeptember 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | tálcánként* |
|---|---|---|
| 8 + | 77 192,90 Ft | 617 543 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 260-1092
- Gyártó cikkszáma:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 50A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 2kV | |
| Csomag típusa | AG-EASY3B | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 26.5mΩ | |
| Továbbító feszültség Vf | 6.15V | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 50A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 2kV | ||
Csomag típusa AG-EASY3B | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 26.5mΩ | ||
Továbbító feszültség Vf 6.15V | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Az Infineon MOSFET egy 4 lábú feszültségnövelő konfigurációval rendelkezik egy Easy 3B házban, és a legújabb CoolSiC M1H generációval rendelkezik. A 2000 V-os SiC MOSFET ugyanolyan teljesítményt és előnyöket nyújt, mint a 1200 V-os M1H sorozat, beleértve 12%-kal alacsonyabb RDS(on) 125°C hőmérsékleten, szélesebb kapu-forrás feszültségterület a nagyobb rugalmasság érdekében, 175°C-os maximális csatlakozási hőmérséklet és kisebb chipméret.
Nagy áramsűrűség
Alacsony induktivitású kialakítás
Robusztus rögzítés az integrált rögzítőbilincseknek köszönhetően
Kapcsolódó linkek
- MOSFET 2000 V, AG-EASY3B Infineon DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Infineon FS3L100R07W3S5B11BPSA1 IGBT-modul Szimpla 650 V, AG-EASY3B 1
- Infineon FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 IGBT-modul 950 V, AG-EASY3B NYÁK-ra szerelhető 6
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 8-tüskés, AG-EASY3B Infineon
- Infineon IGBT-modul 950 V, AG-EASY3B NYÁK-ra szerelhető 6
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 8-tüskés, AG-EASY3B Infineon FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Infineon F3L400R07W3S5B59BPSA1 IGBT-modul Tripla párhuzamos AG-EASY3B 6
- Infineon F3L500R12W3H7H20BPSA1 IGBT-modul P típus-csatornás 1200 V AG-EASY3B
