N MOSFET, 55.9 A, 100 V, Növekményes, 8-tüskés, 1212-8S Vishay SISS SISS5110DN-T1-GE3

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 60 hozzáadása 10 122 Ft megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 4 egység)*

2700 Ft

(ÁFA nélkül)

3428 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 6000 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
Megtakarítás
4 - 56675 Ft2 700 Ft-
60 - 96506,30 Ft2 025 Ft10 122 Ft
100 - 236450 Ft1 800 Ft22 500 Ft
240 - 996439,80 Ft1 759 Ft56 448 Ft
1000 +429,50 Ft1 718 Ft245 500 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
279-9994
Gyártó cikkszáma:
SISS5110DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

55.9A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

100V

Csomag típusa

1212-8S

Sorozat

SISS

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.0126Ω

Csatorna mód

Növekményes

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

20nC

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

56.8W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

3.3mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

A Vishay MOSFET egy N-csatornás MOSFET, és a benne lévő tranzisztor szilikon néven ismert anyagból készült.

TrenchFET teljesítmény MOSFET

Teljesen ólommentes (Pb) eszköz

Nagyon alacsony RDS x Qg érték

100 százalékos Rg és UIS tesztelés

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.