N MOSFET, 8 A, 800 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQP8N80C
- RS raktári szám:
- 671-5199
- Gyártó cikkszáma:
- FQP8N80C
- Gyártó:
- onsemi
Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*
6900 Ft
(ÁFA nélkül)
8765 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 940 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 5 + | 1 380 Ft | 6 900 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 671-5199
- Gyártó cikkszáma:
- FQP8N80C
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 8A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 800V | |
| Csomag típusa | TO-220 | |
| Sorozat | QFET | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 1.55Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 35nC | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.4V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -30V, +30V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 178W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 10.1mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 4.7mm | |
| Magasság | 9.4mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 8A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 800V | ||
Csomag típusa TO-220 | ||
Sorozat QFET | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 1.55Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 35nC | ||
Továbbító feszültség Vf 1.4V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -30V, +30V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 178W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 10.1mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 4.7mm | ||
Magasság 9.4mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor
A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépernyők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el.
Alacsonyabb be- és kikapcsolását teszik lehetővé az on-állású (RDS(on))), valamint a rövid kapura történő feltöltéssel (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® folyamat technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220F onsemi QFET FQPF8N80C
- N MOSFET 900 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET
- N MOSFET 900 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQPF9N90CT
- N MOSFET 900 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET FQP9N90C
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET
- N MOSFET 800 V 3-tüskés, TO-220 onsemi QFET