N MOSFET, 19 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, SOIC Vishay TrenchFET SI4840BDY-T1-GE3

Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*

759 Ft

(ÁFA nélkül)

964 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 3615 egység szállítása 2026. november 23. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csomagonként*
5 +151,80 Ft759 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
710-4736
Gyártó cikkszáma:
SI4840BDY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

19A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

40V

Sorozat

TrenchFET

Csomag típusa

SOIC

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.012Ω

Csatorna mód

Növekményes

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

6W

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

33nC

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-20V, +20V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

5mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Szélesség

4mm

Magasság

1.55mm

Járműipari szabvány

Nem

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor


MOSFET tranzisztorok, Vishay Semiconductor


Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.