MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 760-9926P
Gyártó cikkszáma:: STD6NF10T4
Gyártó:: STMicroelectronics

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 760-9926P
Gyártó cikkszáma:: STD6NF10T4
Gyártó:: STMicroelectronics

N-channel 100V - 0.22 OHM - 6A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	STripFET
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	250 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	30 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	10 nC 10 V esetén
Szélesség	6.2mm
Tranzisztor anyaga	Si
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Hossz	6.6mm
Min. működési hőmérséklet	-65 °C
Magasság	2.4mm

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics