P típus MOSFET, 4.5 A, 20 V, Növekményes, 6-tüskés, SOT-23 onsemi PowerTrench FDC640P

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 200 hozzáadása 13% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 szalag / 20 egység)*

4730 Ft

(ÁFA nélkül)

6008 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 2960 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
tekercsenként*
Megtakarítás
20 - 180236,50 Ft4 730 Ft-
200 - 480204 Ft4 080 Ft13%
500 - 980176,80 Ft3 536 Ft25%
1000 - 1980155,30 Ft3 106 Ft34%
2000 +141,60 Ft2 832 Ft40%

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
809-0856
Gyártó cikkszáma:
FDC640P
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

P típus

Maximális folyamatos nyelőáram Id

4.5A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

20V

Sorozat

PowerTrench

Csomag típusa

SOT-23

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

6

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

80mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

9nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

-1.2V

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-12V, +12V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

1.6W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

3mm

Szélesség

1.7mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

1mm

Járműipari szabvány

Nem

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor


A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.

A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.

A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS


A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.

Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.