MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220F QFET Egyszeres Si

A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépítők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el.
Alacsonyabb be- és kikapcsolódási veszteséget kínálnak, mivel csökkentik az ellenállást (RDS(on))), valamint csökkentik a kapcsolóveszteséget a kapuköltségek (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® process technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.