N típus MOSFET, 36 A, 100 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-220 Infineon HEXFET

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

1380 Ft

(ÁFA nélkül)

1752 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 362 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól
  • További 48 egység szállítása 2026. szeptember 07. dátumtól
  • További 1000 egység szállítása 2026. december 03. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 18690 Ft1 380 Ft
20 - 98639,50 Ft1 279 Ft
100 - 198577,50 Ft1 155 Ft
200 - 498538 Ft1 076 Ft
500 +504,50 Ft1 009 Ft

*irányár

RS raktári szám:
688-6872
Gyártó cikkszáma:
IRF540ZPBF
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Csatorna típusa

N típus

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

36A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

100V

Csomag típusa

TO-220

Sorozat

HEXFET

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

27mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

92W

Továbbító feszültség Vf

1.3V

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

42nC

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

8.77mm

Szélesség

4.69mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

10.54mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET sorozatú MOSFET, 36A maximális folyamatos lefolyóáram, 100V maximális lefolyóforrás feszültség - IRF540ZPBF


Ezt a MOSFET-et úgy tervezték, hogy nagy teljesítményt nyújtson különböző elektronikus alkalmazásokban. Képes 36A maximális folyamatos drain-áram és 100V drain-forrás feszültség kezelésére, TO-220AB csomagja pedig hatékony hőelvezetést és stabilitást biztosít. A 92 W-os maximális teljesítményleadással ez az N-csatornás eszköz különösen alkalmas az elektromos és gépészeti iparágak igényes feladataihoz.

Jellemzők és előnyök


• HEXFET technológiát használ a nagyobb hatékonyság érdekében

• Alacsony, 26,5mΩ Rds(on) minimalizálja a teljesítményveszteséget

• A gyors kapcsolási sebességek javítják a működési hatékonyságot

• Támogatja a megbízható teljesítményt biztosító bővítési üzemmódot

• Ismétlődő lavinás körülmények kezelésére tervezték

Alkalmazások


• Motorvezérléshez és energiagazdálkodáshoz használatos

• Ideális kapcsolóüzemű tápegységekhez és átalakítókhoz

• Alkalmas a nagy hatékonyságot igénylő autóiparban

• Ipari automatizálási rendszerekbe implementálva

• Hatékony a robusztus teljesítményt igénylő elektronikus eszközökben

Mi a jelentősége az alacsony Rds(on) minősítésnek a teljesítményében?


Az alacsony Rds(on) érték csökkenti a vezetési veszteségeket, ami magasabb hatásfokot eredményez működés közben. Ez lehetővé teszi a jobb hőteljesítményt, ami kritikus fontosságú a nagy áramú alkalmazásokban.

Hogyan befolyásolja a maximális drain-source feszültség a működési megbízhatóságot?


A 100 V-os drain-source feszültség jelentős biztonsági tartalékot nyújt az alkalmazások számára, biztosítva a megbízható működést változó feszültségek mellett, megelőzve ezzel a meghibásodást.

Képes ez a MOSFET kezelni a magas hőmérsékletű környezetet?


A 175°C-os maximális üzemi hőmérsékletnek köszönhetően magas hőmérsékletű körülmények között is megbízhatóan működik, így alkalmas az autóipari és ipari alkalmazásokban előforduló kihívásokkal teli környezetekre.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.