N típus MOSFET, 500 mA, 60 V, Növekményes, 3-tüskés, SOT-23 onsemi MMBF170L MMBF170

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 100 egység (folyamatos szalagon szállítjuk)*

4950 Ft

(ÁFA nélkül)

6290 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Ellátási hiány
  • További 7800 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól
Jelenlegi készletünk korlátozott és beszállítóink hiányra számítanak.

Egység
Egységenként
100 - 24049,50 Ft
250 - 49043,10 Ft
500 - 99037,90 Ft
1000 +34,50 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
739-0357P
Gyártó cikkszáma:
MMBF170
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N típus

Maximális folyamatos nyelőáram Id

500mA

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

60V

Csomag típusa

SOT-23

Sorozat

MMBF170L

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

300mW

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

0.93mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

1.3mm

Hossz

2.92mm

Járműipari szabvány

Nem

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor


Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS


A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.

Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.