Infineon AEC-Q100 SRAM S70KL1282GABHV020 128 MB, 200 MHz, FBGA-24 gömb
- RS raktári szám:
- 273-5437
- Gyártó cikkszáma:
- S70KL1282GABHV020
- Gyártó:
- Infineon
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 tálca / 338 egység)*
928 418 Ft
(ÁFA nélkül)
1 179 079 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2026. december 21. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | tálcánként* |
|---|---|---|
| 338 - 338 | 2 746,80 Ft | 928 418 Ft |
| 676 + | 2 604 Ft | 880 152 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 273-5437
- Gyártó cikkszáma:
- S70KL1282GABHV020
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | SRAM | |
| Memória mérete | 128MB | |
| Szavankénti bitszám | 16 | |
| Maximális véletlenszerű hozzáférési idő | 35ns | |
| Maximális óra frekvencia | 200MHz | |
| Minimális tápfeszültség | 1.8V | |
| Időzítés típusa | DDR | |
| Maximális tápfeszültség | 3V | |
| Csomag típusa | FBGA-24 gömb | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 105°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Sorozat | HYPERRAM | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q100 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus SRAM | ||
Memória mérete 128MB | ||
Szavankénti bitszám 16 | ||
Maximális véletlenszerű hozzáférési idő 35ns | ||
Maximális óra frekvencia 200MHz | ||
Minimális tápfeszültség 1.8V | ||
Időzítés típusa DDR | ||
Maximális tápfeszültség 3V | ||
Csomag típusa FBGA-24 gömb | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 105°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Sorozat HYPERRAM | ||
Járműipari szabvány AEC-Q100 | ||
Az Infineon DRAM egy nagy sebességű CMOS önfrissítő DRAM, HYPERBUSTM interfésszel. A DRAM tömb olyan dinamikus cellákat használ, amelyek időszakos frissítést igényelnek. Az eszközön belüli frissítési vezérlési logika kezeli a frissítési műveleteket a DRAM tömbön, amikor a memóriát a HYPERBUSTM interfész master nem aktívan olvassa vagy írja. Mivel a gazda nem szükséges frissítési műveletek kezeléséhez, a DRAM tömb úgy jelenik meg a gazda számára, mintha a memória statikus cellákat használna, amelyek frissítés nélkül megtartják az adatokat. Ezért a memóriát pontosabban pszeudo-statikus RAM-ként írják le.
HYPERBUSTM interfész
200 MHz maximális órafrekvencia
Konfigurálható törésjellemzők
Akár 400 MB/s adatátviteli sebesség
Kétirányú adatolvasó-író stroboszkóp
Opcionális DDR középső sorrendben elolvasható stroboszkóp
Kapcsolódó linkek
- Infineon AEC-Q100 SRAM 128 MB FBGA-24 gömb
- Microchip AEC-Q100 SRAM 23LC1024-I/ST 1 MB 20 MHz TSSOP
- Microchip AEC-Q100 SRAM 23LC1024T-I/SN 1 MB 20 MHz, 8-tüskés
- Microchip AEC-Q100 SRAM 23LC1024-I/SN 1 MB 20 MHz SOIC
- Microchip AEC-Q100 SRAM 23LC1024-I/P 1 MB 20 MHz PDIP
- Microchip AEC-Q100 SRAM 1 MB 20 MHz PDIP
- Microchip AEC-Q100 SRAM 1 MB 20 MHz TSSOP
- Microchip AEC-Q100 SRAM 1 MB 20 MHz SOIC