Infineon AEC-Q100 SRAM 128 MB, 200 MHz, FBGA-24 gömb

Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 egység)*

1950 Ft

(ÁFA nélkül)

2476 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Korlátozott készlet
  • 1 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 91 950 Ft
10 - 241 798 Ft
25 - 491 728 Ft
50 - 991 693 Ft
100 +1 576 Ft

*irányár

RS raktári szám:
273-5438
Gyártó cikkszáma:
S70KL1282GABHV020
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

SRAM

Memória mérete

128MB

Szavankénti bitszám

16

Maximális véletlenszerű hozzáférési idő

35ns

Maximális óra frekvencia

200MHz

Időzítés típusa

DDR

Minimális tápfeszültség

1.8V

Maximális tápfeszültség

3V

Csomag típusa

FBGA-24 gömb

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

105°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Sorozat

HYPERRAM

Járműipari szabvány

AEC-Q100

Az Infineon DRAM egy nagy sebességű CMOS önfrissítő DRAM, HYPERBUSTM interfésszel. A DRAM tömb olyan dinamikus cellákat használ, amelyek időszakos frissítést igényelnek. Az eszközön belüli frissítési vezérlési logika kezeli a frissítési műveleteket a DRAM tömbön, amikor a memóriát a HYPERBUSTM interfész master nem aktívan olvassa vagy írja. Mivel a gazda nem szükséges frissítési műveletek kezeléséhez, a DRAM tömb úgy jelenik meg a gazda számára, mintha a memória statikus cellákat használna, amelyek frissítés nélkül megtartják az adatokat. Ezért a memóriát pontosabban pszeudo-statikus RAM-ként írják le.

HYPERBUSTM interfész

200 MHz maximális órafrekvencia

Konfigurálható törésjellemzők

Akár 400 MB/s adatátviteli sebesség

Kétirányú adatolvasó-író stroboszkóp

Opcionális DDR középső sorrendben elolvasható stroboszkóp

Kapcsolódó linkek