Toshiba GT60J323(Q) IGBT N-csatornás, 60 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-3PLH
- RS raktári szám:
- 184-521
- Gyártó cikkszáma:
- GT60J323(Q)
- Gyártó:
- Toshiba
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 184-521
- Gyártó cikkszáma:
- GT60J323(Q)
- Gyártó:
- Toshiba
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Toshiba | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 60A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 170W | |
| Csomag típusa | TO-3PLH | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±25 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.5V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Toshiba | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 60A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 170W | ||
Csomag típusa TO-3PLH | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±25 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.5V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- JP
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- Toshiba GT50G321(Q) IGBT N-csatornás 400 V TO-3PLH Egyszeres
- Toshiba GT50J342 80 A 0.38μs TO-3P Egyszeres
- Toshiba GT15J341 IGBT N-csatornás 600 V TO-220SIS Furatszerelt
- Toshiba Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT30J121 Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT40QR21 40 A 2.5 MHz TO-3P
- Toshiba GT50JR22 Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT20J341 Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220SIS