Toshiba GT40QR21,F(O Diszkrét IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 2.5 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- RS raktári szám:
- 891-2743
- Gyártó cikkszáma:
- GT40QR21,F(O
- Gyártó:
- Toshiba
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1808 Ft
(ÁFA nélkül)
2296 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 16 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 4 | 1 808 Ft |
| 5 + | 1 688 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 891-2743
- Gyártó cikkszáma:
- GT40QR21,F(O
- Gyártó:
- Toshiba
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Toshiba | |
| Terméktípus | Diszkrét IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 40A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 1200V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 230W | |
| Csomag típusa | TO-3P | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 2.5MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.9V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±25 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Sorozat | 6.5th generation | |
| Energiabesorolás | 0.29mJ | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Toshiba | ||
Terméktípus Diszkrét IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 40A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 230W | ||
Csomag típusa TO-3P | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 2.5MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.9V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±25 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Sorozat 6.5th generation | ||
Energiabesorolás 0.29mJ | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- JP
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics STGWT80H65DFB IGBT N-csatornás 1 MHz TO-3P
- Toshiba GT50JR22 Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics STGWT60H65DFB IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT30J121 Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT N-csatornás 600 V TO-3P
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 1 MHz TO-3P
- Toshiba Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P