Toshiba GT30J121 Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N típus-csatornás, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt,
- RS raktári szám:
- 796-5058
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J121
- Gyártó:
- Toshiba
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1755 Ft
(ÁFA nélkül)
2229 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 10 egység szállításra kész
- További 8 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
- További 56 egység szállítása 2026. június 22. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 24 | 1 755 Ft |
| 25 - 49 | 1 665 Ft |
| 50 - 199 | 1 572 Ft |
| 200 - 399 | 1 404 Ft |
| 400 + | 1 310 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 796-5058
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J121
- Gyártó:
- Toshiba
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Toshiba | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 30A | |
| Terméktípus | Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 170W | |
| Csomag típusa | TO-3P | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N típus | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.45V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Toshiba | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 30A | ||
Terméktípus Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 170W | ||
Csomag típusa TO-3P | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N típus | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.45V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- Toshiba Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics STGF15H60DF IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics STGW30NC60WD IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics STGW30V60F IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- Toshiba GT50JR22 Diszkrét IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba Diszkrét IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P