Gyártói szám

onsemi AEC-Q101 Field Stop IGBT N-csatornás, 80 A, 600 V, 25 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

RS raktári szám:: 124-1334
Gyártó cikkszáma:: FGH40N60SFDTU
Gyártó:: onsemi

onsemi AEC-Q101 Field Stop IGBT N-csatornás, 80 A, 600 V, 25 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

31 572 Ft

(ÁFA nélkül)

40 098 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

90 egység készen áll egy másik helyről a szállításra

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként	csövenként*
30 - 30	1 052,40 Ft	31 572 Ft
60 - 120	1 020,90 Ft	30 627 Ft
150 - 270	989,40 Ft	29 682 Ft
300 +	947,10 Ft	28 413 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 124-1334
Gyártó cikkszáma:: FGH40N60SFDTU
Gyártó:: onsemi

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	onsemi
	Terméktípus	Field Stop IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	80A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	290W
	Csomag típusa	TO-247
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	25ns
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.3V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Sorozat	Field Stop
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Járműipari szabvány	AEC-Q101

	Az összes kiválasztása
	Márka onsemi
	Terméktípus Field Stop IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 80A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 290W
	Csomag típusa TO-247
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 25ns
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.3V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Sorozat Field Stop
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Járműipari szabvány AEC-Q101

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor

IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.