IXYS nagy sebességű IGBT N-csatornás, 100 A, 1.2 kV, 50 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-264

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 cső / 25 egység)*

213 595 Ft

(ÁFA nélkül)

271 265 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később
Egység
Egységenként
csövenként*
25 +8 543,80 Ft213 595 Ft

*irányár

RS raktári szám:
168-4782
Gyártó cikkszáma:
IXYK100N120C3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

100A

Terméktípus

nagy sebességű IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1.2kV

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

1150W

Csomag típusa

TO-264

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

50kHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.5V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szélesség

16.13mm

Sorozat

GenX3TM

Hossz

20.32mm

Szabványok/jóváhagyások

International Standard Packages

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
US

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek