IXYS IXYK100N120C3 nagy sebességű IGBT N típus-csatornás, 100 A, 1200 V, 50 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-264

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

10 568 Ft

(ÁFA nélkül)

13 421 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • Utolsó 8 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra

Egység
Egységenként
1 - 110 568 Ft
2 - 410 035 Ft
5 - 99 510 Ft
10 +9 293 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
808-0293
Distrelec cikkszám:
302-53-451
Gyártó cikkszáma:
IXYK100N120C3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

nagy sebességű IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

100A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

1150W

Csomag típusa

TO-264

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

50kHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.5V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szélesség

16.13mm

Szabványok/jóváhagyások

International Standard Packages

Hossz

20.32mm

Sorozat

GenX3TM

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.