Toshiba GT50JR21 IGBT N-csatornás, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3P Furatszerelt, Furatszerelt

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
168-7767
Gyártó cikkszáma:
GT50JR21
Gyártó:
Toshiba
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Toshiba

Járműipari szabvány

Nem

Terméktípus

IGBT

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos kollektoráram (Ic)

50 A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség (Vceo)

600 V

Tüskék száma

3

Csomag típusa

TO-3P

Rögzítés típusa

Furatszerelt, Furatszerelt

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség (Vce (SAT))

2 V

Maximális kapu-emitter feszültség (VGEO)

25 V

Maximális működési hőmérséklet

175 °C

Maximális teljesítménydisszipáció (Pd)

230 W

Min. működési hőmérséklet

-55 °C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Származási ország (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.