Toshiba GT50JR21 IGBT N-csatornás, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3P Furatszerelt, Furatszerelt
- RS raktári szám:
- 168-7767
- Gyártó cikkszáma:
- GT50JR21
- Gyártó:
- Toshiba
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 168-7767
- Gyártó cikkszáma:
- GT50JR21
- Gyártó:
- Toshiba
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Toshiba | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 50A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 230W | |
| Csomag típusa | TO-3P | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt, Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 25 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Toshiba | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 50A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 230W | ||
Csomag típusa TO-3P | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt, Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 25 V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- JP
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- Toshiba GT50JR21 IGBT N-csatornás 600 V TO-3P Furatszerelt, Furatszerelt
- STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT N-csatornás 650 V TO-3P Furatszerelt
- Toshiba GT15J341 IGBT N-csatornás 600 V TO-220SIS Furatszerelt
- Mitsubishi Electric PSS20S92F6-AG IGBT-modul Tömb N-csatornás 600 V Áramellátó DIP modul Furatszerelt
- Infineon IRGP4063PBF IGBT N-csatornás 600 V TO-247AC Furatszerelt
- Infineon AEC-Q101-001 160 A 30 kHz
- STMicroelectronics STGP10M65DF2 IGBT N-csatornás 650 V TO-220 Furatszerelt
- IXYS IXGP20N120B3 IGBT N-csatornás 1200 V TO-220 Furatszerelt