STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás, 30 A, 420 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 168-7861
- Gyártó cikkszáma:
- STGB18N40LZT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
441 400 Ft
(ÁFA nélkül)
560 600 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 1000 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 441,40 Ft | 441 400 Ft |
| 2000 - 4000 | 436 Ft | 436 000 Ft |
| 5000 + | 430,70 Ft | 430 700 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 168-7861
- Gyártó cikkszáma:
- STGB18N40LZT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 30A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 420V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 150W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.7V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 16 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Sorozat | Automotive Grade | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Szélesség | 9.35mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 30A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 420V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 150W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.7V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 16 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Magasság 4.6mm | ||
Sorozat Automotive Grade | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Hossz 10.4mm | ||
Szélesség 9.35mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGB18N40LZT4 IGBT N-csatornás 420 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás 390 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGD18N40LZT4 IGBT N-csatornás 390 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás 450 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás 450 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT 650 V Furatszerelt, H2PAK-2
- onsemi AEC-Q101 ISL9V3040D3ST Gyújtás IGBT N-csatornás 430 V 3-tüskés Felület, TO-252
- onsemi AEC-Q101 FGD3040G2-F085 Gyújtás IGBT N-csatornás 400 V 3-tüskés Felület, TO-252