STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, 30 A, 650 V Furatszerelt, H2PAK-2
- RS raktári szám:
- 248-4893
- Gyártó cikkszáma:
- STGH30H65DFB-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
734 100 Ft
(ÁFA nélkül)
932 300 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. szeptember 21. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 734,10 Ft | 734 100 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 248-4893
- Gyártó cikkszáma:
- STGH30H65DFB-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 30A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 260W | |
| Csomag típusa | H2PAK-2 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.55V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Sorozat | STGH30H65DFB | |
| Szélesség | 15.8mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Magasság | 4.7mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 30A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 260W | ||
Csomag típusa H2PAK-2 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.55V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Sorozat STGH30H65DFB | ||
Szélesség 15.8mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Hossz 10.4mm | ||
Magasság 4.7mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
A STMicroelectronics termék egy Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field STOP szerkezettel kifejlesztett IGBT. Az eszköz az új HB IGBT sorozat része, amely optimális kompromisszumot jelent a vezetési és kapcsolási veszteség között, hogy maximalizálja a frekvenciaváltó hatékonyságát. Továbbá a kissé pozitív VCEsat hőmérsékleti együttható és a nagyon szoros paramétereloszlás biztonságosabb párhuzamos működést eredményez.
AEC-Q101-minősítés
Nagy sebességű kapcsolási sorozat
Biztonságosabb párhuzamos kötés
Szűk paraméterelosztás
Alacsony hővezetési ellenállás
Lágy és nagyon gyorsan helyreállító nem párhuzamos dióda
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGH30H65DFB-2AG IGBT 650 V Furatszerelt, H2PAK-2
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-2AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH2N120K5-2AG
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás 420 V 3-tüskés Felület, TO-263
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH13N120K5-2AG
- AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N 1500 V 3-tüskés, H2PAK-2 STH4N150 N-csatornás MOSFET
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N-csatornás 450 V 3-tüskés Felület, TO-263