STMicroelectronics AEC-Q101 STGB18N40LZT4 IGBT N típus-csatornás, 30 A, 420 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 810-3485
- Gyártó cikkszáma:
- STGB18N40LZT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 szalag / 5 egység)*
4185 Ft
(ÁFA nélkül)
5315 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 1290 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | tekercsenként* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 837 Ft | 4 185 Ft |
| 50 - 245 | 736,60 Ft | 3 683 Ft |
| 250 - 495 | 657,80 Ft | 3 289 Ft |
| 500 + | 565 Ft | 2 825 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 810-3485
- Gyártó cikkszáma:
- STGB18N40LZT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 30A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 420V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 150W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N típus | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.7V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 16 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Sorozat | Automotive Grade | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 30A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 420V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 150W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N típus | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.7V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 16 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Hossz 10.4mm | ||
Magasság 4.6mm | ||
Sorozat Automotive Grade | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N típus-csatornás 420 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT N típus-csatornás 390 V 3-tüskés Felület, TO-252
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGD18N40LZT4 IGBT N típus-csatornás 390 V 3-tüskés Felület, TO-252
- Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT N típus-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- onsemi HGT1S10N120BNST IGBT N típus-csatornás 1200 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT N típus-csatornás 650 V 3-tüskés Felület, TO-263