STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT N-csatornás, 120 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres

RS raktári szám:: 168-8742
Gyártó cikkszáma:: STGWT80H65FB
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT N-csatornás, 120 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 168-8742
Gyártó cikkszáma:: STGWT80H65FB
Gyártó:: STMicroelectronics

STGY80H65DFB, STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB, Trench Gate Field-Stop IGBT, HB Series 650V, 80A High Speed
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Maximális folyamatos kollektoráram	120 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség	650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség	±20V
Maximális teljesítménydisszipáció	469 W
Csomag típusa	TO-3P
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Csatorna típusa	N
Tüskék száma	3
Kapcsolási sebesség	1MHz
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Méret	15.8 x 5 x 20.1mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

STMicroelectronics STGWT80H65FB IGBT N-csatornás, 120 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres

IGBT diszkrét, STMicroelectronics