Infineon Fordított vezetőképességű IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

19 116 Ft

(ÁFA nélkül)

24 276 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. január 25. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 30637,20 Ft19 116 Ft
60 - 120605,40 Ft18 162 Ft
150 - 270579,80 Ft17 394 Ft
300 - 570554,40 Ft16 632 Ft
600 +516,10 Ft15 483 Ft

*irányár

RS raktári szám:
215-6645
Gyártó cikkszáma:
IHW50N65R5XKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

Fordított vezetőképességű IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

282W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.35V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Sorozat

Resonant Switching

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon fordított vezető szigetelt kapus bipoláris tranzisztor monolitikus testdiódával.

Nagy hatékonyság

Alacsony kapcsolási veszteségek

Nagyobb megbízhatóság

Alacsony elektromágneses interferencia

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.