Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés Felület, TO-263 1

Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*

436 100 Ft

(ÁFA nélkül)

553 800 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 2000 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
1000 +436,10 Ft436 100 Ft

*irányár

RS raktári szám:
218-4389
Gyártó cikkszáma:
IGB50N65H5ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

50A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

270W

Tranzisztorok száma

1

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.65V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 ±30 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

High Speed Fifth Generation

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC47/20/22

Hossz

10.31mm

Magasság

4.57mm

Szélesség

9.45mm

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technológia a kategóriájában a legjobb IGBT-t újradefiniálja, ami alacsonyabb csomópontot és tokhőmérsékletet eredményez, ami nagyobb megbízhatósághoz vezet azáltal, hogy páratlan teljesítményt nyújt a kemény kapcsolási alkalmazások hatékonysága tekintetében. A kollektor emitter feszültsége 650 V, a kollektor árama 80 A.

Nagyobb teljesítménysűrűség

A buszfeszültség 50V-os növekedése a megbízhatóság romlása nélkül lehetséges

Enyhe pozitív hőmérsékleti együttható

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.